标准编号：GB/T 6617-2009
标准名称：硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
标准类型：推荐性
标准英文：Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe
标准状态：现行
发布日期：2010-06-01
实施日期：2009-10-30
标准语言：中文
发布部委：
国际分类：电气工程
国内标准分类号：H80
国际标准分类：29.045
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
标准类别：方法
代替标准：GB/T 6617-1995
起草单位：南京国盛电子有限公司 宁波立立电子股份有限公司
起草人：马林宝 骆红 吕立平 刘培东谭卫东